二硒化铼ReSe2

    单晶 ReSe2 (Rhenium diselenide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的

每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好

的结晶性，层状结构以保证易于剥离。 单晶 ReSe2块体的带隙是 1.5 eV,单层的

ReSe2 带隙是1.6 eV。单层ReSe2 具有具有很好的电学性质，机械性质和光学性质。

     我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶

 ReSe2 块体的尺寸可以达到10mm级别，纯度可以达到99.9995% 甚至更高的纯度。

单晶 ReSe2 可以达到 H相，没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的

ReSe2 单晶具有很大的晶畴，可以得到很大的单层。

  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。