碲化镓GaTe
| 样品名称 | 碲化镓GaTe（Gallium Telluride） 单晶 |
| 性质 | 半导体 |
| 带隙 | 块体间接带隙1.65 eV，单层直接带隙直接带隙2.0 eV |
| 参数 | 尺寸 ～10mm，≧99.9995% |
| 应用 | 半导体电子器件，传感器-探测器，光学器件等研究 |
| 其他信息 | 详情请发邮件至：sale@mukenano.com,
mknano@126.com |
单晶 GaTe（Gallium Telluride）是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每
块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好的
结晶性，层状结构以保证易于剥离。
我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶
GaTe块体的尺寸可以达到～10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。
单晶GaTe块体间接带隙为1.65 eV，单层GaTe直接带隙为2.0 eV,我们所合成的单晶
GaTe 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的GaTe单晶具有很大的晶畴，可
以得到很大的单层。
另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。
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