p-硒化铋Bi2Se3单晶
| 样品名称 | p-type硒化铋Bi2Se3单晶 |
| 性质 | 拓扑绝缘体 |
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带隙 |
待实验结果 |
| 参数 | 尺寸 ～8mm，≧99.9995%,颜色：黑色 |
| 应用 | 半导体电子器件，传感器-探测器，光学器件等研究 |
| 其他信息 | 详情请发邮件至：sale@mukenano.com,
mknano@126.com |
单晶Bi2Se3是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每
块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好的
结晶性，层状结构以保证易于剥离。
我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶
Bi2Se3块体的尺寸可以达到～8mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。
单晶Bi2Se3块体带隙可以随着元素比例的变化而变化,我们所合成的单晶Bi2Se3没
有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的Bi2Se3单晶具有很大的晶畴，可
以得到很大的单层。
另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。
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